Dispositivos electrónicos

Módulos de potencia, dispositivos de alta frecuencia, dispositivos ópticos, dispositivos LCD y otros

IPM de la serie G1 con IGBT de séptima generación

Gracias a los últimos chips IGBT1, el IPM2 de la serie G1 reduce el tamaño y el consumo de energía de equipos industriales como inversores de uso general, servoamplificadores y ascensores; y ofrece mayor fiabilidad. Una línea de 52 productos de 6 categorías convierte a la serie G1 en la opción idónea para satisfacer diversas necesidades de aplicaciones y equipos industriales.

1.
IGBT: Transistor bipolar de puerta aislada
2.
IPM: Módulo de alimentación inteligente

DIPIPM con SiC súper pequeño completo

El nuevo SiC1-MOSFET2 reduce el consumo de energía en aproximadamente un 75 % en comparación con los modelos anteriores3. Esto significa que el DIPIPM con SiC súper pequeño completo4™ ofrece el menor consumo de energía del sector5, lo que contribuye al aumento de la eficiencia energética de los aires acondicionados de ahorro de energía durante todo el año.

1.
SiC: Carburo de silicio
2.
MOSFET: Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
3.
DIPIPM súper pequeño Ver. 6 serie (producto de silicio, Si) PSS15S92F6 (15A/600V)
4.
DIPIPM: Módulo de alimentación inteligente del paquete dual en línea
5.
Según la investigación interna, a partir del 17 de agosto de 2016

GaN HEMT de banda Ku para estaciones terrestres de satélite

La optimización de la estructura del transistor ha permitido crear un GaN2 HEMT3 con una potencia de salida líder del sector1 de 100W, lo que permite reducir el número de componentes del amplificador de potencia y trabajar con estaciones terrestres de menor tamaño. Ofrece una gama de productos que utilizan un amplificador de potencia existente como controlador de alto rendimiento configurables con los productos de Mitsubishi Electric para satisfacer las diversas necesidades de estaciones terrestres de satélite de banda Ku4.

1.
Desde el 27 de septiembre de 2016, según la investigación interna de GaN HEMT para estaciones terrestres de satélite de banda Ku
2.
GaN: Nitruro de galio
3.
HEMT: Transistor de alta movilidad de electrones
4.
Banda Ku: Microondas con frecuencias de entre 12 y 18 GHz

Diodo láser rojo de alta potencia de 639 nm para proyectores

Con una estructura epitaxial y un tamaño del emisor optimizados, el diodo láser rojo de alta potencia de 639 nm produce una potencia de salida de onda líder del sector1 de 2,1 W y una eficiencia de conversión de alta potencia del 41 %2, facilitando la comercialización de proyectores grandes que requieren un alto grado de brillo.

1.
Según la investigación interna, a partir del 14 de diciembre de 2016
2.
A una temperatura de 25 °C del encapsulado, salida de onda continua de 2,1 W

Módulos TFT-LCD con paneles táctiles para uso industrial (VGA de 6,5 pulgadas, SVGA/XGA de 8,4 pulgadas, WXGA de 10,6 pulgadas)

Estos paneles táctiles capacitivos proyectados incluyen un cristal protector de un grosor de 5 mm, admiten hasta 10 entradas táctiles simultáneas y se pueden utilizar incluso con guantes gruesos resistentes al calor y cuando la pantalla está mojada. Son ideales para su aplicación en exteriores que requieren resistencia a los impactos y al agua.

Módulos TFT-LCD de la serie Tough en color para uso industrial (WVGA de 7,0/8,0 pulgadas)

Estos módulos de la serie Tough tienen una resistencia a vibraciones aproximadamente siete veces mayor que la de los módulos convencionales (6,8 G), una amplia gama de temperatura de funcionamiento (-40 °C a 85 °C), y un ángulo de visión ultra amplio (170° desde todos los ángulos), en respuesta a la tendencia a su uso en entornos hostiles, como en maquinaria de construcción, maquinaria agrícola y máquinas herramienta, que requieren pantallas multipropósito de alta calidad.