Nuestros dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en prácticamente cualquier lugar: equipos de electrónica de potencia (incluidos electrodomésticos), sistemas de tracción, automóviles y equipos de distribución de electricidad. Como líder desde hace años en cuota de mercado mundial, Mitsubishi Electric contribuye significativamente a la conservación energética y a la reducción del tamaño y el peso de los equipos de electrónica de potencia.
*En módulos IGBT (en febrero de 2017) sobre la base de investigaciones de Mitsubishi Electric.

Seguimos explorando el potencial del carburo de silicio (SiC). En los dispositivos de potencia, permite reducir drásticamente la pérdida de potencia debida a las características especiales del material y aumentar en gran medida la eficiencia energética de los dispositivos de electrónica de potencia. Mitsubishi Electric comenzó a desarrollar los elementos necesarios para SiC a principios de la década de 1990 y se ha mantenido a la vanguardia mundial del sector desarrollando versiones comerciales de dispositivos semiconductores de potencia de SiC y productos que incorporan estos dispositivos, y proporcionando datos que muestran su rendimiento en términos de ahorro de energía.