Nos mantenemos a la vanguardia para respaldar un futuro sostenible. Los dispositivos semiconductores de potencia son esenciales para aumentar la eficiencia energética de numerosas variedades de equipos de electrónica de potencia, desde sistemas de tracción ferroviaria y automóviles hasta robots industriales y sistemas de aire acondicionado. Mitsubishi Electric está ayudando a hacer realidad una sociedad con bajas emisiones de carbono y a mejorar la calidad de vida de todos a través del desarrollo de dispositivos semiconductores de potencia.

Descripción general

Líder en cuota mundial*

Nuestros dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en prácticamente cualquier lugar: equipos de electrónica de potencia (incluidos electrodomésticos), sistemas de tracción, automóviles y equipos de distribución de electricidad. Como líder desde hace años en cuota de mercado mundial, Mitsubishi Electric contribuye significativamente a la conservación energética y a la reducción del tamaño y el peso de los equipos de electrónica de potencia.
*En módulos IGBT (en febrero de 2017) sobre la base de investigaciones de Mitsubishi Electric.

Dispositivos semiconductores de potencia que incorporan carburo de silicio (SiC)

Seguimos explorando el potencial del carburo de silicio (SiC). En los dispositivos de potencia, permite reducir drásticamente la pérdida de potencia debida a las características especiales del material y aumentar en gran medida la eficiencia energética de los dispositivos de electrónica de potencia. Mitsubishi Electric comenzó a desarrollar los elementos necesarios para SiC a principios de la década de 1990 y se ha mantenido a la vanguardia mundial del sector desarrollando versiones comerciales de dispositivos semiconductores de potencia de SiC y productos que incorporan estos dispositivos, y proporcionando datos que muestran su rendimiento en términos de ahorro de energía.

Historia

Años 50

Mitsubishi Electric inició en la década de 1950 la investigación sobre dispositivos semiconductores.

1958

Desarrollo y comercialización en Japón del primer dispositivo de semiconductores de potencia.

Década de 1990

Desarrollo de nuevos materiales y productos, semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), manteniendo la ventaja sobre otras empresas.

2010

Instalación de un dispositivo semiconductor de potencia de SiC en (nuestras) unidades de aire acondicionado, una primicia mundial.

2012

Inicio del envío de muestras de módulos semiconductores de potencia de SiC a los mercados mundiales.

2015

Instalación del sistema de tracción para automotores con módulos completos de semiconductores de potencia de SiC en los trenes bala de alta velocidad Shinkansen de Japón.

I+D/Tecnologías

Información empresarial sobre dispositivos de potencia

Estamos comprometidos con el desarrollo continuo de SiC para reducir costes y mejorar el rendimiento, y en este sentido, y como fabricante líder global de dispositivos de potencia, proporcionamos dispositivos fundamentales que ahorran energía.

Ampliación de la gama DIPIPM de grandes dimensiones de 1200 V ver. 6

Esta nueva incorporación a nuestra gama de productos logra un gran récord, una corriente nominal de 75 A para DIPIPM que abarca el rango de 40 kW de aires acondicionados compactos.

Módulo de potencia de SiC híbrido de gran capacidad

Un inversor de tracción híbrida que incorpora módulos de potencia de SiC híbridos de gran capacidad montados sobre un automotor ha demostrado su efecto en términos de ahorro de energía en operaciones comerciales desde febrero de 2012.