Comunicados de prensa
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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3272
TOKIO, 27 de marzo de 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el lanzamiento de un nuevo diodo de barrera Schottky de carburo de silicio de 1200 V (SiC-SBD) que reduce la pérdida potencia y el tamaño físico de los sistemas de suministro energético destinados a infraestructuras y sistemas de energía fotovoltaica, entre otros. Los envíos de muestras comenzarán en junio de 2019, y las ventas, en enero de 2020.
Los diodos se expondrán en las ferias comerciales más importantes, que incluyen MOTORTECH JAPAN 2019 durante la TECHNO-FRONTIER 2019 en el complejo de Makuhari Messe, en Chiba, Japón, del 17 al 19 de abril; PCIM Europe 2019 en Núremberg, Alemania, del 7 al 9 de mayo; y PCIM Asia 2019 en Shanghái, China, del 26 al 28 de junio.
Paquete SiC-SBD TO-247 de 1200 V
Paquete SiC-SBD TO-247-2 de 1200 V
Serie | Modelo | Paquete | Especificación | Disponibilidad de muestras | Lanzamiento |
---|---|---|---|---|---|
SiC-SBD de 1200 V |
BD10120P | TO-247-2 | 1200 V/10 A | Junio de 2019 | Enero de 2020 |
BD20120P | 1200 V/20 A | ||||
BD10120S | TO-247 | 1200 V/10 A | |||
BD20120S | 1200 V/20 A | ||||
BD20120SJ | AEC-Q101 de 1200 V/20 A |
Abril de 2020 |
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