Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric desarrolla un conjunto de chips de transmisión de banda ultraancha para sistemas inalámbricos multiuso

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3305

TOKIO, 26 de septiembre de 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que ha desarrollado el primer* conjunto de chips del mundo de transmisión de banda ultraancha (con capacidad de banda S/C/X) para sistemas inalámbricos multiuso. Se prevé que el nuevo conjunto de chips resulte útil para facilitar la reducción del tamaño de los módulos de transmisión y aumentar el alcance de transmisión de los sistemas inalámbricos. Los detalles técnicos se especificarán durante el evento European Microwave Conference/European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMC/EuMIC) de 2019, que comienza el 29 de septiembre en París (Francia).

  1. * Según un estudio realizado por Mitsubishi Electric, a fecha del 26 de septiembre de 2019.

Fig. Sistema inalámbrico multiuso que utiliza el conjunto de chips de banda ultraancha

Características clave

  1. 1)Nueva configuración del amplificador que ofrece características de banda ancha
    • El amplificador incorporado en el nuevo conjunto de chips está configurado en dos etapas discretas: un amplificador distribuido de primera etapa y un amplificador de adaptación reactiva de segunda etapa se combinan para proporcionar capacidades de banda ultraancha.
    • Un único y novedoso conjunto de chips, que comprende un amplificador y un conmutador que cubren un ancho de banda fraccional del 125 % en las bandas S/C/X, permitirá reducir el tamaño de los módulos de transmisión.
  2. 2)Codiseño de dos chips que proporciona una alta potencia de salida
    • Cada chip está diseñado para reducir la pérdida de reflexión cuando se encuentran conectados el uno al otro. Este codiseño permite una alta potencia de salida y que, al mismo tiempo, se mantengan las características de banda ancha.
    • El conjunto de chips consigue una potencia de salida de más de 20 vatios como módulo de transmisión, un alto nivel de salida que logrará satisfacer la demanda de un alcance de transmisión amplio en los sistemas inalámbricos.

Nota

Tenga en cuenta que la precisión de los comunicados de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichos comunicados están sujetos a modificaciones sin previo aviso.


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