Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric lanzará los nuevos módulos HVIGBT y HVDIODE de la serie XLos siete nuevos modelos satisfarán la demanda de los sistemas de inversores de menor tamaño y más robustos en equipos de gran tamaño

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia y únicamente para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3407

TOKIO, 26 de abril de 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que ha desarrollado siete nuevos productos de la serie X (dos módulos HVIGBT y cinco módulos HVDIODE). Estos módulos amplían la gama de la serie X a 24 módulos de semiconductores de potencia adecuados para inversores de menor tamaño con una capacidad cada vez mayor que se utilizan en motores de tracción, transmisores de potencia de CC, maquinaria industrial de gran tamaño y otros equipos de alta tensión y alta corriente. Los modelos se lanzarán de forma secuencial a partir del 1 de julio y se expondrán en la "PCIM Europe digital days 2021", la versión digital de la feria comercial Power Conversion Intelligent Motion, que tendrá lugar del 3 al 7 de mayo.

  • Aislamiento de 6 kVrms
    (HVIGBT/HVDIODE*)
    CM900HC-90X, etc.

  • Aislamiento de 10 kVrms
    (HVDIODE)
    RM1500DG-90X, etc.

  • Aislamiento 6 kVrms
    (HVIGBT)
    CM2400HCB-34X

  1. *El HVDIODE (no se muestra) no incluye terminales auxiliares

Características del producto

  1. 1)La gama ampliada se adapta a distintas capacidades de inversor
    • La gama de 24 modelos de la serie X (dos nuevos módulos HVIGBT y cinco nuevos módulos HVDIODE) oscila entre 1,7 kV y 6,5 kV para adaptarse a distintas capacidades de los inversores en equipos industriales de gran tamaño.
  2. 2)Aumento de la corriente nominal para admitir inversores de mayor capacidad y menor tamaño
    • El chip CSTBT™ y los chips de diodos RFC de séptima generación ayudan a reducir la pérdida de potencia y la resistencia térmica, lo que se traduce en una mayor corriente nominal para admitir inversores de mayor capacidad.
    • En comparación con el CM900HC-90H actual, el nuevo CM900HC-90X y otros modelos tienen un tamaño un 33 %, menor, aunque alcanzan las mismas tensiones y corrientes nominales.
  3. 3)Los modelos compatibles simplifican la sustitución de las piezas y el desarrollo del inversor
    • El CM2400HCB-34X y otros modelos ofrecen las mismas especificaciones de compatibilidad, así como las mismas dimensiones que el HVIGBT actual (CM2400HC-34H), con el fin de agilizar el desarrollo de los nuevos inversores.

Nota

Tenga en cuenta que la precisión de los comunicados de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichos comunicados están sujetos a modificaciones sin previo aviso.

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