PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3132

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

Mitsubishi Electric lanzará un GaN-HEMT MMIC en la banda Ka para estaciones terrestres de comunicación por satélite

Su elevada potencia de salida y baja distorsión ayudarán a reducir el tamaño de las estaciones terrestres de comunicación por satélite

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TOKYO, 4 de octubre de 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha anunciado hoy el lanzamiento de un amplificador para circuitos monolíticos integrados de microondas (MMIC) de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 8 W en la banda Ka (26-40 GHz) para su utilización en estaciones terrestres de comunicación por satélite. El nuevo MGFG5H3001, con una baja distorsión y una clasificación de potencia de salida de 8 W de primer nivel, ayudará a reducir las dimensiones de los transmisores de potencia gracias a su pequeño tamaño. Mitsubishi Electric comenzará a enviar muestras el 1 de noviembre.

GaN-HEMT MMIC en la banda Ka (MGFG5H3001)

Las redes por satélite, utilizadas para establecer comunicaciones de alta velocidad en caso de desastres naturales y en zonas en las que es difícil construir redes en tierra, se suelen implantar principalmente en las bandas C (4-8 GHz) y Ku (12-18 GHz), pero cada vez más se utilizan bandas de frecuencias más altas. Por otro lado, cada vez es mayor la demanda en el mercado de implantaciones en la banda Ka, también de elevada frecuencia. El nuevo GaN-HEMT MMIC en la banda Ka de Mitsubishi Electric ayudará a satisfacer la creciente demanda de implantaciones en frecuencias más altas y facilitará, además, el desarrollo de equipos de comunicación por satélite que puedan ofrecer mayor eficiencia y potencia de salida.

Características del producto

1)
Su potencia de salida de primer nivel contribuye a reducir el tamaño
- La configuración optimizada del transistor proporciona una potencia de salida de 8 W de primer nivel
- Un único chip integra los circuitos de transistores amplificadores, circuitos emparejados y un linealizador que reduce la distorsión
- La disminución del número de piezas ayudará a reducir el tamaño de los transmisores utilizados en estaciones terrestres de comunicación por satélite
2)
Reducción de distorsión de primer nivel para una elevada integridad de señal y reducción de tamaño
- La integración del linealizador permite la baja distorsión en transmisores de potencia
- La elevada integridad de la señal y la menor necesidad de contar con un linealizador externo permiten reducir el tamaño de los transmisores utilizados en estaciones terrestres de comunicación por satélite
3)
Facilitará la provisión de los nuevos equipos para estaciones de comunicación por satélite para satisfacer una mayor gama de demandas
- Se espera que sea la opción preferida para los nuevos equipos en la banda Ka y para mejorar los equipos existentes en la banda Ku para instalaciones en gamas de frecuencia más diversas

Programa de ventas

Producto Aplicación Modelo Descripción general Envío
Frecuencia Potencia
de salida
en estado de saturación		 Ganancia
lineal
GaN-HEMT
MMIC
en la banda Ka		 Estaciones terrestres
de comunicación por satélite		 MGFG5H3001 27,5-31,0 GHz 39,0 dBm
(8 W)		 15,0 dB 1 de noviembre de 2017

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