PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3164

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

El nuevo módulo semiconductor de potencia Full-SiC de 6,5 kV alcanza la mayor densidad de potencia del mundo

Permitirá contar con equipos de alimentación para automotores y sistemas de energía eléctrica de menor tamaño y más eficientes

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Tokio, 31 de enero de 2018 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el desarrollo de un módulo semiconductor de potencia de carburo de silicio (SiC) de 6,5 kV que se espera que ofrezca la mayor densidad de potencia del mundo (calculada a partir del voltaje y de la corriente nominales) entre módulos semiconductores de potencia nominal de 1,7 kV a 6,5 kV. Esta densidad de potencia sin precedentes es posible gracias a la estructura original del modelo con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor convencionales (MOSFET) y un diodo en un único chip integrados, además de su paquete recién desarrollado. Mitsubishi Electric espera que el módulo permita contar con equipos de alimentación para automotores y sistemas de energía eléctrica de menor tamaño y más eficientes. En adelante, la empresa seguirá desarrollando la tecnología y realizando más pruebas de fiabilidad.

Prototipo del módulo semiconductor Full-SiC de potencia de 6,5 kV

Características

1)
Los módulos de tensión nominal máxima full-SiC serían el primer paso para contar con equipos de electrónica de potencia de menor tamaño y más eficientes.
- La tensión nominal de 6,5 kV es mayor entre los módulos semiconductor de potencia con transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
- La tecnología full-SiC mejora la densidad de potencia y la eficiencia y permite mayores frecuencias de funcionamiento para equipos de electrónica de potencia de menor tamaño y mayor eficiencia energética.
2)
Estructura de un chip original y nuevo paquete con alta disipación de calor y alta tolerancia al calor
- El área de chip se ha reducido drásticamente gracias a la integración del MOSFET y al diodo en un único chip
- El sustrato aislante con unas propiedades térmicas insuperables y una tecnología de soldadura del chip fiable facilita la disipación de calor y la tolerancia al calor
- La densidad de potencia de 9,3 kVA/cm3 es la mayor del mundo entre módulos semiconductores de potencia nominal de 1,7 kV a 6,5 kV.

Módulo semiconductor de potencia SIC frente a módulo tradicional de silicio IGBT

  Densidad de potencia Pérdida de potencia Frecuencia de funcionamiento asumida
Módulo Full-SiC 1,8* 1/3 4
Módulo tradicional de silicio IGBT 1** 1 1

Nota: valores normalizados correspondientes a los valores del módulo tradicional de silicio IGBT de Mitsubishi Electric
*Corresponde a 9,3 kVA/cm3
**Corresponde a 5,1 kVA/cm3

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