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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3361

TOKIO, 16 de junio de 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (Tokio: 6503) ha anunciado hoy el lanzamiento del MOSFET de SiC de 1200 V de la serie N (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio) con pérdida de potencia baja y tolerancia alta¹ de encendido automático. La nueva serie ayudará a reducir el consumo energético y a miniaturizar los sistemas de alimentación que requieren una conversión de alta tensión, como cargadores incorporados para vehículos eléctricos (EV), sistemas de energía fotovoltaica y mucho más. Los envíos de las muestras comenzarán en julio.

Mitsubishi Electric expondrá el nuevo MOSFET de SiC de 1200 V de la serie N en las ferias comerciales más importantes, entre las que se encuentra la PCIM Asia 2020 que se celebra en Shanghái (China) del 16 al 18 de noviembre.

1. 1Capacitancia de entrada/capacitancia de espejo (Ciss/Crss), calculada por Mitsubishi Electric.

MOSFET de SiC de 1200 V de la serie N

Características del producto

1. 1)Menor consumo de energía y miniaturización de los sistemas de alimentación
   • La tecnología de dopado del transistor de efecto de campo de unión (JFET) reduce tanto la pérdida de conmutación como la resistencia en conducción; gracias a esto se obtiene una figura de mérito (FOM²) líder del sector³ de 1450 mΩ·nC. El consumo de energía en los sistemas de alimentación se reduce en aproximadamente un 85 % en comparación con los IGBT de Si.
   • Al reducir la capacitancia de espejo⁴, la tolerancia de encendido automático es 14 veces mejor en comparación con los productos de la competencia. Por lo tanto, se puede realizar una operación de conmutación rápida para reducir la pérdida de conmutación.
   • Una menor pérdida de potencia de conmutación permite reducir el tamaño y simplificar los sistemas de refrigeración. También permite reducir el tamaño de los componentes periféricos, como el reactor, al accionar el semiconductor de potencia con una frecuencia portadora⁵ más alta, lo que contribuye a minimizar el coste y el tamaño de los sistemas de alimentación en general.
   1. 3A partir del 16 de junio de 2020, según el estudio realizado por Mitsubishi Electric.
   2. 2El índice de rendimiento del MOSFET de alimentación, calculado al multiplicar la resistencia en corriente por la carga de puerta-drenaje (temperatura de unión de 100 °C). Los valores más bajos indican un mejor rendimiento.
   3. 4Capacitancia parásita entre la puerta y el drenaje de la estructura del MOSFET (Crss).
   4. 5Frecuencia que determina el tiempo de encendido/apagado del elemento de conmutación en un circuito inversor.
2. 2)Seis modelos para diferentes aplicaciones, incluidos modelos que cumplen con el estándar AEC-Q101
   • La línea de productos incluye modelos que cumplen con el estándar AEC-Q101 del Consejo de electrónica automotriz (AEC). Por lo tanto, el MOSFET de SiC de la serie N se puede utilizar no solo en aplicaciones industriales como sistemas fotovoltaicos, sino también en cargadores incorporados para vehículos eléctricos.

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