Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric lanza los módulos IGBT dual type X-Series HV100 de alta tensiónPara una mayor potencia y eficiencia de los sistemas de inversores en sistemas de energía eléctrica, ferroviarios y muchos más

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia y únicamente para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3389

TOKIO, 17 de diciembre de 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado el lanzamiento de dos nuevos módulos IGBT dual type X-Series HV100 de alta tensión para ofrecer una mayor potencia, eficiencia y fiabilidad de los sistemas de inversores en grandes equipos industriales como sistemas de energía eléctrica y ferroviarios. Los módulos alcanzan corrientes nominales dobles de 600 A líderes en el sector* con una tensión de aislamiento de 10 kVrms, lo cual se considera incomparable entre los módulos IGBT de alta tensión de silicio con una potencia de 3,3 kV. Los envíos de las muestras comenzarán en abril de 2021.

  1. *Según un estudio realizado por Mitsubishi Electric a fecha del 17 de diciembre de 2020.

Módulo IGBT dual type X-Series HV100 de alta tensión

Características del producto

  1. 1)Corriente nominal de 600 A líder en el sector para una mayor capacidad
    • Gracias a la corriente nominal de 600 A, la más alta entre los tipos dobles de alta densidad de corriente con tensión de aislamiento de 10 kVrms y tensión de emisor-colector de 3,3 kV, se podrán obtener sistemas de inversores de alta eficiencia y potencia para grandes equipos industriales como sistemas eléctricos, ferroviarios y de transmisión de CC.
    • Los IGBT de séptima generación que incorporan diodos CSTBT y RFC alcanzan una densidad de potencia de 8,57 A/cm2, una cifra que otros módulos SI (versión 3,3 Kv/600 A) no pueden superar.
  2. 2)Alta tensión de aislamiento y sencilla conexión en paralelo para capacidades y configuraciones de circuitos flexibles
    • El paquete HV100 con tensión de aislamiento de 10 kVrms ayudará a simplificar el diseño de aislamiento en circuitos multinivel para grandes equipos industriales.
    • Se ha optimizado el diseño del terminal para facilitar el uso de configuraciones de inversor más flexibles y en paralelo.
  3. 3)Nueva estructura del paquete para una mayor fiabilidad de los sistemas de inversores
    • La integración de la placa de aislamiento y del disipador de calor aumenta el ciclo de vida térmico en ciclos relativamente prolongados de temperaturas de encapsulado.
    • La menor resistencia térmica aumenta el ciclo de vida energético en ciclos relativamente cortos de temperatura de chips.

Programa de ventas

Producto Modelo Valor nominal Envíos de muestras

Módulo IGBT
dual type X-Series HV100 de alta tensión		 CM450DE-66X 3,3 kV/450 A A partir de abril de 2021
CM600DE-66X 3,3 kV/600 A

Nota

Tenga en cuenta que la precisión de los comunicados de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichos comunicados están sujetos a modificaciones sin previo aviso.

Consultas

Contacto de prensa

Consultas de los clientes