Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric comercializará muestras del chip EML CWDM de 100 Gbps (PAM4 de 53 Gbaud) con rango de temperatura más amplio para centros de datosReducirá el consumo de energía y los costes de los transceptores ópticos de 400 Gbps para centros de datos

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona únicamente a modo de referencia y para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3445

TOKIO, 21 de octubre de 2021 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que el día 1 de noviembre comenzará a comercializar muestras de su chip de diodo láser modulador de absorción eléctrica (EML) de modulación por amplitud de pulso de 4 niveles (PAM4) de 100 Gbps (53 Gbaud) para multiplexación por división de longitud de onda gruesa (CWDM). Se espera que el diodo semiconductor se aplique en conjuntos de cuatro chips EML como fuente de luz en transceptores ópticos para la comunicación por fibra óptica de 400 Gbps en centros de datos. Gracias a la operatividad del nuevo EML en un rango más amplio de temperaturas, ayudará a reducir el consumo de energía y los costes de los transceptores ópticos al eliminar la necesidad de las unidades convencionales de control de temperatura.

  1. 1) Funcionamiento a alta velocidad y en un rango más amplio de temperaturas con una estructura de guía de onda híbrida única
    • La exclusiva estructura de guía de onda híbrida (Fig. 1) combina un diodo láser de heteroestructura enterrado para una alta potencia de salida óptica y un modulador de electroabsorción (EAM) de guía de onda de mesa alta para una alta relación de extinción y un amplio rango de frecuencias.
    • El funcionamiento del PAM4 de 53 Gbaud está disponible en temperaturas que oscilan entre 5 y 85 °C (Fig. 2) debido a los parámetros de diseño optimizados para las secciones del diodo láser y del modulador.
  2. 2) Reduce el consumo de energía y los costes de los transceptores ópticos
    • La capacidad de funcionar en un rango de temperatura más amplio elimina la necesidad de unidades de control de temperatura del chip en los transceptores ópticos, reduciendo así tanto el consumo de energía como los costes.
    • El uso de transceptores ópticos de baja potencia permite reducir el consumo de energía en los centros de datos.

Programa de ventas

Producto Modelo Longitud de onda Rango de temperatura Fecha de comercialización
Chip EML CWDM de 100 Gbps (PAM4 de 53 Gbaud)
con rango de temperatura más amplio		 ML7CP70 1271, 1291,
1311 y 1331 nm		 de 5 a 85 °C 1 de noviembre de 2021

Nota

Tenga en cuenta que la precisión de los comunicados de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichos comunicados están sujetos a modificaciones sin previo aviso.

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