Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric lanzará un circuito integrado de controlador de medio puente de alta tensión (600 V) con función BSDPermite diseñar sistemas de inversor con menos piezas

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona únicamente a modo de referencia y para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3486

TOKIO, 9 de febrero de 2022 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el próximo lanzamiento de un circuito integrado de alta tensión (HVIC) de controlador de medio puente (600 V) equipado con una función de diodo cebador (BSD) integrada que puede ayudar a reducir el número de piezas necesarias en los sistemas de inversor. Se espera que el nuevo HVIC, diseñado para circuitos que accionan semiconductores de potencia en sistemas de inversor de baja capacidad, también ayude a reducir el consumo de energía de electrodomésticos, bicicletas eléctricas y otros productos eléctricos. Las ventas comenzarán el 1 de abril.

Nuevo HVIC de 600 V con función BSD (M81777FP)

Los HVIC que accionan semiconductores de potencia en sistemas inversores están experimentando una demanda creciente para su uso en sistemas de control de motores que ayudan a ahorrar energía y mejoran el rendimiento de productos de consumo y equipos industriales.

Programa de ventas

Producto Modelo Especificación Lanzamiento
HVIC de 600 V M81777FP 600 V/+0,2 A, -0,35 A 1 de abril de 2022

Características del producto

  1. 1)La función BSD integrada ayuda a reducir el número de piezas en los sistemas de inversor
    • El nuevo HVIC de Mitsubishi Electric para sistemas de inversor está equipado con una función BSD que permite diseñar sistemas de inversor y cableado de alta tensión con menos piezas.
  2. 2)El semiconductor de óxido metálico (MOS) de alta tensión de la función BSD logra una alta resistencia al ruido
    • La estructura MOS de alta tensión patentada de Mitsubishi Electric suprime las fugas de corriente durante la carga.
    • La estructura MOS está libre de elementos parásitos que pueden causar fallos de bloqueo debido al ruido al conmutar los inversores (ruido de sobretensión de potencial negativo generado en el diodo de rueda libre durante el modo de reflujo).
  3. 3)Compatible con el modelo M81776FP existente
    • El nuevo perfil externo del HVIC (encapsulado de perfil pequeño de 8 contactos), la disposición de los pines y las propiedades eléctricas son compatibles con el modelo existente (M81776FP), lo que simplifica mucho la sustitución.

Nota

Tenga en cuenta que la precisión de los comunicados de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichos comunicados están sujetos a modificaciones sin previo aviso.

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