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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3577

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  Chip (reproducción)

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  Diagrama de ojo PAM4 de 112 Gbaud
  (back-to-back, Vpp = 1,2 V)

TOKIO, jueves, 02 de marzo de 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que ha desarrollado un chip de diodo láser con modulador de electroabsorción (EML) de 200 Gbps (modulación de amplitud de impulso de cuatro niveles de 112 Gbaud, PAM4) que duplica la velocidad del chip EML de 100 Gbps de la empresa gracias a una estructura de guía de onda híbrida patentada. La compatibilidad con la multiplexación por división de longitud de onda densa (CWDM) de cuatro longitudes de onda permite una transmisión de 800 Gbps mediante cuatro chips o 1,6 Tbps mediante ocho chips.
Se espera que el rendimiento mejorado aumente considerablemente la velocidad de transmisión de los transceptores ópticos que se utilizan en los centros de datos a fin de responder a la creciente demanda del tráfico de datos, ocasionada por el rápido crecimiento de los servicios de distribución de vídeo y la computación en la nube.
Mitsubishi Electric presentará su nuevo chip en la Optical Fiver Communication Conference and Exhibition (OFC) 2023 de San Diego (EE. UU.) del 5 al 9 de marzo.

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