Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric enviará muestras del módulo HVIGBT de tipo doble de la serie X HV100Para una mayor potencia y eficiencia de los sistemas de inversor que se utilizan en sistemas de energía eléctrica, ferroviarios y muchos más

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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3593

Módulo HVIGBT de tipo doble de la serie X HV100


TOKIO, 25 de abril de 2023: Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que el 31 de mayo comenzará a enviar muestras de un nuevo módulo de transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (HVIGBT) de tipo doble de la serie X HV100, que ofrece una potencia, eficiencia y fiabilidad superiores en sistemas de inversores para grandes equipos industriales como sistemas de energía eléctrica y ferroviarios. El módulo de tipo doble, que alcanza una tensión soportada de 4,5 kV y una rigidez dieléctrica de 10,2 kVrms, tiene una potencia de 450 A, algo que se considera inigualable entre los módulos HVIGBT de silicio de 4,5 kV1. El producto se exhibirá en las principales ferias comerciales, incluida la Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 de Núremberg (Alemania) del 9 al 11 de mayo.

Los semiconductores de potencia se utilizan cada vez más para convertir la energía eléctrica de forma eficiente con el fin de reducir la huella de carbono de la sociedad a nivel mundial. Esto ocurre especialmente en la industria pesada, donde dichos dispositivos se utilizan en equipos de conversión de potencia, como inversores de sistemas de tracción ferroviaria y para la transmisión de potencia de CC. En respuesta a la creciente demanda de dispositivos que ofrezcan una alta potencia, eficiencia y capacidad de salida, en 2021 Mitsubishi Electric lanzó dos versiones de su módulo HVIGBT de alta rigidez dieléctrica y tipo doble de la serie X HV100 (3,3 kV/450 A y 3,3 kV/600 A). Dentro de muy poco, el módulo de la serie X HV100 que está por llegar contribuirá a que los inversores empleados en grandes equipos industriales (que requieren una alta rigidez dieléctrica) logren niveles aún mayores de potencia, eficiencia y fiabilidad de los sistemas.


  1. 1En comparación con los módulos IGBT de silicio con paquetes HV100 de tipo doble que logran una tensión soportada de 4,5 kV y una tensión de aislamiento de 10,2 kVrms, según la propia investigación de Mitsubishi Electric a fecha de 25 de abril de 2023

Nota

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