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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3612

Módulo semiconductor de potencia Full-SiC de tipo NX para equipos industriales

TOKIO, 13 de junio de 2023: Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que comenzará a enviar muestras de su nuevo módulo semiconductor de potencia Full-SiC (fabricado con carburo de silicio) de tipo NX para equipos industriales el 14 de junio. El módulo, que reduce la inductancia interna e incorpora un chip SiC de segunda generación, debería contribuir a la creación de equipos industriales más eficientes, pequeños y ligeros.
Cada vez es más frecuente el uso de los semiconductores de potencia para convertir la energía eléctrica de forma más eficiente. Esto también ayuda a reducir la huella de carbono de la sociedad en general. Las expectativas son particularmente altas para los semiconductores de potencia SiC debido a su capacidad para reducir significativamente la pérdida de potencia. Estamos observando un aumento en la demanda de semiconductores de potencia más eficientes y potentes, capaces de mejorar la eficiencia en la conversión de energía de componentes como los inversores que se utilizan en los equipos industriales.
Mitsubishi Electric empezó a lanzar módulos semiconductores de potencia equipados con chips SiC en 2010. El nuevo módulo, que cuenta con un chip SiC de poca pérdida y una estructura de electrodos optimizada, reduce la inductancia interna en un 47 % en comparación con su predecesor⁽¹⁾, lo que ayuda a reducir la pérdida de potencia.
El desarrollo de este producto SiC ha contado con el apoyo parcial de la Organización para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnologías Industriales (NEDO) de Japón.

1. (1) Comparación realizada con la serie T del módulo IGBT Si de tipo NX de 1700 V/600 A (CM600DX-34T) mediante una serie de mediciones realizadas bajo unas condiciones determinadas por Mitsubishi Electric.

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