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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3621

Oblea de silicio de 12 pulgadas y equipo de medición de resistencia
que se muestran como referencia junto con una oblea de 8 pulgadas (derecha)

TOKIO, 29 de agosto de 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que la empresa ha completado la instalación de su primera línea de procesamiento de obleas de silicio de 12 pulgadas en la división Power Device Works de la fábrica de Fukuyama, que fabrica semiconductores de potencia. Además, gracias a la producción y prueba de muestras, se ha verificado que los chips semiconductores de potencia procesados en esta línea de producción consiguen los niveles de rendimiento necesarios.

Como se anunció anteriormente, Mitsubishi Electric planea empezar la producción en masa de la línea de obleas de silicio de 12 pulgadas en el año fiscal de 2025. La empresa busca duplicar aproximadamente su capacidad de procesamiento de obleas semiconductoras de potencia de silicio para el año fiscal de 2026 en comparación con el ejercicio del año fiscal de 2021.

En los últimos años, la demanda de semiconductores de potencia con un control eficiente de la energía eléctrica ha crecido debido a que los países buscan conseguir un estado libre de carbono. Los semiconductores de potencia se utilizan en una amplia variedad de productos relevantes, incluyendo vehículos eléctricos, dispositivos para clientes (p. ej., sistemas de aire acondicionado), equipo industrial, dispositivos de tracción y energía renovables; por ello, se necesita un suministro estable para cumplir esta creciente demanda.

Mitsubishi Electric contribuirá a la creación de una sociedad libre de carbono mediante la mejora de su capacidad de producción y garantizando un suministro estable de semiconductores de potencia mediante la introducción de líneas de producción de obleas de 12 pulgadas de alta eficiencia.

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