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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3663

TOKIO, martes, 23 de enero de 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el próximo lanzamiento de seis nuevos módulos semiconductores de potencia de la serie J3 para diversos vehículos eléctricos (xEV), que incorporan un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico y carburo de silicio (SiC-MOSFET) o un RC-IGBT (Si),¹ con diseños compactos y escalabilidad para su uso en los inversores de vehículos eléctricos (VE) y vehículos eléctricos híbridos enchufables (PHEV). Los seis productos de la serie J3 estarán disponibles para el envío de muestras a partir del 25 de marzo.
Los nuevos módulos de potencia se expondrán en la 38ª edición de la Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON JAPAN 2024), que se celebrará del 24 al 26 de enero en el Tokyo Big Sight (Japón), así como en otras exposiciones de Norteamérica, Europa, China y otros lugares.
A medida que los semiconductores de potencia capaces de convertir eficientemente la electricidad se expanden y diversifican en respuesta a las iniciativas de descarbonización, aumenta la demanda de semiconductores de potencia de SiC que ofrezcan una pérdida de potencia significativamente reducida. En el sector de los xEV, los módulos semiconductores de potencia se utilizan ampliamente en dispositivos de conversión de potencia, como los inversores para los motores de accionamiento de los xEV. Además de ampliar la autonomía de crucero de los xEV, se necesitan módulos compactos de alta potencia y eficiencia para reducir aún más el tamaño de las baterías y los inversores. Sin embargo, debido a las estrictas normas de seguridad establecidas para los xEV, los semiconductores de potencia utilizados en los motores de accionamiento deben ser más fiables que los empleados en aplicaciones industriales generales.
El desarrollo de estos productos de SiC ha contado con el apoyo parcial de la Organización para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnologías Industriales (NEDO) de Japón.

1. 1 IGBT de conducción inversa con un IGBT y un diodo en un solo chip

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