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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3723

Ilustración del chip PIN-PD de 200 Gbps para la comunicación por fibra óptica de 800 Gbps y 1,6 Tbps

TOKIO, 20 de agosto de 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que comenzará a enviar muestras de su nuevo chip de fotodiodo (PD) PIN de 200 Gbps a partir del 1 de octubre de este mismo año para su uso en transceptores ópticos de nueva generación para aplicaciones de comunicación por fibra de 800 Gbps y 1,6 Tbps. La incorporación del nuevo chip receptor a la gama de dispositivos ópticos de Mitsubishi Electric permitirá a los dispositivos existentes capaces de transmitir a 800 Gbps/1,6 Tbps recibir datos ópticos a estas mismas velocidades, lo cual permitirá ampliar la capacidad de comunicación de los transceptores ópticos y mejorar la comunicación de alta velocidad y alta capacidad de los centros de datos.

La próxima introducción del chip PIN-PD de 200 Gbps para recepción óptica se produce tras el lanzamiento por parte de Mitsubishi Electric en abril de este año de su chip de transmisión óptica fabricado en masa, el diodo láser con modulador de electroabsorción (EML) de 200 Gbps (modulación de amplitud de impulso de cuatro niveles [PAM4] de 112 Gbaud). La compañía se ha valido de su sólida experiencia en dispositivos ópticos para desarrollar el chip PD, el cual reduce el área de conversión fotoeléctrica a una estructura de chip que integra iluminación posterior^* y una lente convexa.

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