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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3759

Módulo HVIGBT de la serie 1

TOKIO, 23 de diciembre de 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que comenzará a enviar muestras de dos nuevos módulos de transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (HVIGBT) de la serie S1 a partir del 26 de diciembre. Ambos módulos ofrecen una tensión nominal de 1,7 kV y están diseñados para equipos industriales de gran tamaño, como sistemas ferroviarios y transmisores de potencia de CC. Gracias a las tecnologías patentadas de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y las estructuras de aislamiento, los nuevos módulos ofrecen una excelente fiabilidad, una pérdida de potencia baja y una resistencia térmica también baja. Con esto, se espera que aumenten la fiabilidad y la eficiencia de los inversores en equipos industriales de gran tamaño.
Los módulos HVIGBT de 1,7 kV de Mitsubishi Electric, que se comercializaron por primera vez en 1997 y que gozan de una gran reputación por su rendimiento y fiabilidad, están muy presentes en los inversores de sistemas de potencia.
Los nuevos módulos de la serie S1 incorporan el diodo de campo catódico relajado (RFC, del inglés Relaxed Field of Cathode) patentado por Mitsubishi Electric, que aumenta el área de funcionamiento seguro de recuperación inversa (RRSOA) 2,2 veces en comparación con los modelos anteriores^* para mejorar la fiabilidad del inversor. Además, el uso de un elemento IGBT con una estructura CSTBT^** (del inglés Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) ayuda a reducir tanto la pérdida de potencia como la resistencia térmica para mejorar la eficiencia de los inversores. Asimismo, la estructura de aislamiento patentada de Mitsubishi Electric aumenta la resistencia de tensión de aislamiento a 6,0 kVrms, un valor 1,5 veces superior al de los productos anteriores^*, lo que da como resultado diseños de aislamiento más flexibles y compatibles con una amplia variedad de tipos de inversores.

1. *En comparación con las soluciones CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N y CM1200DC-34S.
2. **Construcción del chip IGBT original de Mitsubishi Electric que incorpora un efecto de almacenamiento de portadoras.

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