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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3761

Módulo IGBT tipo LV100 de 1,2 kV para uso industrial (CM1800DW-24ME)

TOKIO, 14 de enero de 2025 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que a partir del 15 de febrero empezará a enviar muestras de su nuevo módulo IGBT tipo LV100 de 1,2 kV, un módulo semiconductor de potencia para uso industrial para sistemas de suministro de energía solar y otras energías renovables. Equipado con un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de octava generación, el módulo minimiza la pérdida de potencia y maximiza la potencia de salida de los inversores y otros componentes de los sistemas de energía, como los sistemas de generación de energía fotovoltaica y las baterías de almacenamiento.
El módulo se expondrá en la 39.ª edición de la Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON JAPAN 2025), que se celebrará del 22 al 24 de enero en el Tokyo Big Sight (Japón), así como en otras exposiciones de Norteamérica, Europa, China y otros lugares.

Los módulos semiconductores de potencia basados en IGBT de Mitsubishi Electric gozan de una gran reputación desde su aparición allá por 1990 gracias a su excelente rendimiento y alta fiabilidad, y se utilizan para diversas aplicaciones en los sectores industrial, ferroviario, de consumo y de automoción. La compañía ha desarrollado ahora su IGBT de octava generación con las estructuras originales Split-Dummy-Active (SDA¹) y Controlling-Carrier Plasma-Layer (CPL²).

Si lo comparamos con uno de los productos actuales³, el nuevo módulo tipo LV100 de 1,2 kV con chips IGBT de octava generación reduce la pérdida de potencia en aproximadamente un 15 %⁴ en inversores utilizados en sistemas de generación de energía solar, baterías de almacenamiento y mucho más. Además, la corriente nominal de 1800 A, 1,5 veces superior a la del producto actual³, ya mencionado, se consigue optimizando la disposición del IGBT y los chips de diodo, lo cual debe dar como resultado un aumento de la potencia de salida del inversor. Asimismo, el módulo utiliza un encapsulado convencional que es fácil de conectar en paralelo y admite multitud de configuraciones de inversor con una amplia variedad de capacitancias.
La demanda de semiconductores de potencia no para de aumentar, y Mitsubishi Electric quiere llevar también el ahorro de energía a equipos electrónicos de potencia de varios campos, además de proporcionar dichos productos de forma rápida y estable para respaldar la transformación ecológica (conocida por las siglas GX en Japón).

1. 1 Optimiza la capacidad de la puerta dividiendo el surco simulado de la puerta en dos etapas.
2. 2 Forma una capa N profunda en la parte posterior de los chips para proporcionar un control de portadoras durante el funcionamiento dinámico.
3. 3 En comparación con la solución CM1200DW-24T.
4. 4 Cálculos basados en simulaciones de Mitsubishi Electric: A-NPC de 3 niveles, Vcc = 750 V, Io = 920 Arms, M = 0,65, PF = 1, Fc = 2,5 kHz, Fo = 50 Hz.

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